Компания Toshiba разработала первый в отрасли модуль MOSFET с двойным карбидом кремния (SiC) с напряжением 2200 В для промышленного оборудования.

Новый модуль имеет номинальный постоянный ток 250 А и использует чипы SiC MOSFET третьего поколения компании. Он подходит для устройств, использующих постоянный ток 1500 В, таких как   фотоэлектрические энергосистемы и системы хранения энергии. Обычно в промышленной сфере используется мощность постоянного тока 1000 В или ниже, а их электроника в основном представляет собой устройства с напряжением 1200 В или 1700 В.
Однако, Toshiba выпустила первое в отрасли изделие с напряжением 2200 В, предвидя широкое распространение постоянного тока с напряжением 1500 В в ближайшие годы.

MG250YD2YMS3 обеспечивает низкие потери проводимости при низком напряжении включения сток-исток (чувствительном), составляющем 0,7 В (типовое). Он также обеспечивает меньшие потери при включении и выключении — 14 мДж (тип.) и 11 мДж (тип.) что примерно на 90 % меньше по сравнению с типичным кремниевым (Si) IGBT. Такие характеристики повышают эффективность оборудования.
Заменить традиционную трехуровневую схему двухуровневой схемой с меньшим количеством модулей и сделать оборудование компактным стало возможно благодаря уменьшению потерь при переключении.

Применение модуля MG250YD2YMS3

• Системы производства энергии из возобновляемых источников (фотоэлектрические энергетические системы и т. д.)
• Системы хранения энергии
• Аппаратура управления двигателем для промышленного оборудования
• Высокочастотный преобразователь постоянного тока и т. д.

Функции

• Низкое напряжение включения сток-исток (чувствительное):
V DS(on)sense =0,7 В (тип.) (I D =250 А, В GS =+20 В, T ch =25°C)
• Низкие потери при включении:
E on =14 мДж (тип.) (V DD =1100 В, I D =250 А, T ch =150°C)
• Низкие потери при переключении:
E выкл. =11 мДж (тип.) (V DD =1100 В, I D =250 А, T ch =150°C)
• Низкая паразитная индуктивность:
L spN =12 нГн (тип.)