Toshiba выпустила SiC-диод с барьером Шоттки 3-го поколения (SBD)

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation («Toshiba») выпустила серию «TRSxxx65H». Это третье и последнее поколение карбидокремниевых (SiC) диодов с барьером Шоттки (SBD) для промышленного оборудования. Карбид-кремниевый (SiC) барьерный диод Шоттки (SBD) 3-го поколения состоит из семи продуктов в корпусе TO-220-2L и 5 продуктов в корпусе DFN8×8.

SiC-диоды с барьером Шоттки (SBD) имеют высокие номинальные значения обратного напряжения. В дополнение к SBD с коротким временем обратного восстановления (t rr) Toshiba предлагает SBD на 650 В со структурой барьера перехода Шоттки (JBS), которая обеспечивает низкий ток утечки (I r) и способность выдерживать высокие импульсные токи, необходимые для импульсных источников питания. Эти устройства помогают повысить эффективность импульсных источников питания.

Он использует новый металл Шоттки и оснащен микросхемой SiC SBD 3-го поколения, которая оптимизировала структуру барьера Шоттки (JBS) 2-го поколения. В результате удалось достичь самого низкого в отрасли прямого напряжения 1,2 В (тип.), что на 17 % ниже, чем у 2-го поколения 1,45 В (тип.).
В продуктах 3-го поколения улучшено соотношение между прямым напряжением и общим емкостным зарядом, а также соотношение между прямым напряжением и обратным током по сравнению с продуктами 2-го поколения. Это снижает рассеиваемую мощность и способствует высокому КПД оборудования.

Применение

• Импульсные источники питания
• зарядные станции для электромобилей
• Фотоэлектрические инверторы

Функции

• Лучшее в отрасли [3] низкое прямое напряжение: V F = 1,2 В (тип.) (IF = I F(DC))
•  Низкий обратный ток: TRS6E65H I R = 1,1 мкА (тип.) (V R = 650 В)
•  Низкий общий емкостный заряд: TRS6E65H Q C＝ 17 нКл (тип.) (V R = 400 В, f = 1 МГц)